轉：IGBT管損壞的解決對策

(1)過電流損壞
　　
　　避免IGBT管發生鎖定效應而損壞，在電路設計中應保證IGBT管的最大工作電流不超過IGBT管的IDM值，注意可適當加大驅動電阻RG來延長關斷時間，減小IGBT管的di/dt。驅動電壓的大小也會影響IGBT管的鎖定效應，驅動電壓低，承受過電流時間長。IGBT管加負偏壓，IGBT管生產廠家推薦加-5V左右的反偏電壓。在有負偏壓的下，驅動正電壓在10～15V。IGBT管發射極的電流可在5～10μs內超過額定電流的4～10倍，IGBT管設有驅動負偏壓。
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　　負載沖擊特性各不，且供電的設備發生電源短路故障，在設計中采取限流措施進行IGBT管的電流限制也是必需的，可考慮采用IGBT管廠家提供的驅動厚膜電路。如FUJI公司的EXB841、EXB840以及三菱公司的M57959AL、M57962CL，對IGBT管的集電極電壓進行檢測，IGBT管發生過電流，則由內部電路關斷驅動信號。這種辦法有時還是不能保護IGBT管，IR公司推薦的短路保護方法是：首先檢測通態壓降UCE。UCE超過設定值，保護電路馬上將驅動電壓降為8V，于是IGBT管由飽和轉入放大區，通態電阻增大，短路電流下降，4μs連續檢測通態壓降UCEO，正常，將驅動電壓恢復正常；未恢復，將驅動信號關斷，使集電極電流減為零。這樣實現短路電流軟關斷，可以避免快速關斷造成的過大di/dt損壞IGBT管。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www.nancypollockart.com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正?！?BR>

　　(2)過電壓損壞
　　
　　防止過電壓損壞的方法有：優化主電路的工藝結構，通過縮小大電流回路的路徑來減小線路寄生電感；適當IGBT管的驅動電阻RG，使開關速度減慢（但開關損耗也了）；設計緩沖電路，對尖峰電壓進行抑制。用于緩沖電路中的二極管是快恢復二極管，電容是損耗小、頻率特性好的高頻薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。電路有耗能式和回饋式，回饋式又有無源式和有源式兩種，詳細電路設計可參見所選器件的技術手冊。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www.nancypollockart.com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正?！?BR>

　　IGBT管的UGE的保證值為+20V，若超出保證值，將會導致IGBT管損壞，因而在柵極和發射極的電壓不能超出保證值。此外，在柵極和發射極開路時，若在集電極和發射極間加上電壓，隨著集電極電位的變化，有漏電流(i)流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。集電極和發射極處于高電壓，使芯片發熱而損壞。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www.nancypollockart.com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正?！?BR>